先进的高压大功率器件——原理、特性和应用
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2023-11-11 21:26:23
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国际电气工程先进技术译丛
先进的高压大功率器件
—
—
—原理、 特性和应用
Advanced High Voltage Power Device Concepts
[美] B. Jayant Baliga
著
于坤山 金锐 杨霏 赵志斌 齐磊 译
机 械 工 业 出 版 社
本书共11 章。 第 1 章简要介绍了高电压功率器件的可能应用, 定义了理想
功率开关的电特性, 并与典型器件的电特性进行了比较。 第 2 章和第 3 章分析了
硅基功率晶闸管和碳化硅基功率晶闸管。 第 4 章讨论了硅门极关断 (GTO) 晶闸
管结构。 第 5 章致力于分析硅基 IGBT 结构, 以提供对比分析的标准。 第 6 章和
第 7 章分析了碳化硅 MOSFET 和碳化硅 IGBT 的结构。 碳化硅 MOSFET 和 IGBT
的结构设计重点在于保护栅氧化层, 以防止其提前击穿。 另外, 必须屏蔽基区,
以避免扩展击穿。 这些器件的导通电压降由沟道电阻和缓冲层设计所决定。 第 8
章和第 9 章讨论了金属氧化物半导体控制晶闸管 (MCT) 结构和基极电阻控制晶
闸管 (BRT) 结构, 后者利用 MOS 栅控制晶闸管的导通和关断。 第 10 章介绍了
发射极开关晶闸管 (EST), 该种结构也利用一种 MOS 栅结构来控制晶闸管的导
通与关断, 并可利用 IGBT 加工工艺来制造。 这种器件具有良好的安全工作区。
本书最后一章比较了书中讨论的所有高压功率器件结构。
本书的读者对象包括在......
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